工信部發(fā)布新版光伏制造行業(yè)規(guī)范條件 提高單多晶制造門檻

中華人民共和國工業(yè)和信息化部公告

2018 第2號

為深入落實《國務(wù)院關(guān)于促進光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》（國發(fā)〔2013〕24號），進一步推動光伏產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和轉(zhuǎn)型升級，持續(xù)加強行業(yè)管理，提高行業(yè)發(fā)展水平，我部對《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件》進行了修訂，形成《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2018年本）》。現(xiàn)予以公告。

附件：光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2018年本）

工業(yè)和信息化部

2018年1月15日

附件：

光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2018年本）

為加強光伏行業(yè)管理，引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級和結(jié)構(gòu)調(diào)整，推動我國光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，根據(jù)國家有關(guān)法律法規(guī)及《國務(wù)院關(guān)于促進光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》（國發(fā)〔2013〕24號），按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、控制總量、鼓勵創(chuàng)新、支持應(yīng)用的原則，制定本規(guī)范條件。

一、生產(chǎn)布局與項目設(shè)立

（一）光伏制造企業(yè)及項目應(yīng)符合國家資源開發(fā)利用、環(huán)境保護、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求，符合國家產(chǎn)業(yè)政策和相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求，符合當(dāng)?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護規(guī)劃等要求。

（二）在國家法律法規(guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級以上人民政府批準(zhǔn)的永久基本農(nóng)田保護區(qū)、飲用水水源保護區(qū)、自然保護區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、生態(tài)保護紅線和生態(tài)環(huán)境敏感區(qū)、脆弱區(qū)等法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設(shè)工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設(shè)光伏制造項目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應(yīng)嚴(yán)格控制規(guī)模，對生態(tài)環(huán)境造成影響的應(yīng)采取措施，逐步遷出。

（三）嚴(yán)格控制新上單純擴大產(chǎn)能的光伏制造項目，引導(dǎo)光伏企業(yè)加強技術(shù)創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本。新建和改擴建多晶硅制造項目，最低資本金比例為30%，其他新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為20%。

二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)

（一）光伏制造企業(yè)應(yīng)采用工藝先進、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。

（二）光伏制造企業(yè)應(yīng)具備以下條件：在中華人民共和國境內(nèi)依法注冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏產(chǎn)品獨立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力；具有省級以上獨立研發(fā)機構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)，每年用于研發(fā)及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣；申報符合規(guī)范名單時上一年實際產(chǎn)量不低于上一年實際產(chǎn)能的50%。

（三）光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類型應(yīng)分別滿足以下要求：

1.多晶硅項目每期規(guī)模不低于3000噸/年；

2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸；

3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸；

4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片；

5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp；

6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp；

7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp；

8.逆變器年產(chǎn)能不低于 200MWp（微型逆變器不低于10MWp）。

（四）現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1級品的要求。

2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2μs，碳、氧含量分別小于10和16PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA。

3.多晶硅電池和單晶硅電池的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18%和19.5%。

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16%和16.8%。

5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、13%、12%、10%。

6.含變壓器型的光伏逆變器中國加權(quán)效率不得低于96%，不含變壓器型的光伏逆變器中國加權(quán)效率不得低于98%（單相二級拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的光伏逆變器相關(guān)指標(biāo)分別不低于94.5%和96.8%），微型逆變器相關(guān)指標(biāo)分別不低于94.3%和95.5%。

（五）新建和改擴建企業(yè)及項目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級品以上要求。

2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA。

3.多晶硅電池和單晶硅電池的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于19%和21%。

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17%和17.8%。

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、14%、14%、12%。